[发明专利]半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法在审
| 申请号： | 202310590379.5 | 申请日： | 2023-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN116825762A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 欧少敏;谭理 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 赵薇 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及评估刻蚀工艺菜单的方法。用于评估刻蚀工艺菜单的半导体结构包括半导体底层和覆盖在半导体底层上的掩模层；在掩模层的阵列区域中设有第一沟槽阵列和第二沟槽阵列；第一沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第一沟槽，第二沟槽阵列包括多行多列相互间隔的第二沟槽；在行方向上，第一沟槽和第二沟槽交替且错位排布，在列方向上，第一沟槽和第二沟槽也交替且错位排布；位于掩模层中的第一沟槽和第二沟槽向下延伸至半导体底层中，且在半导体底层中第一沟槽和第二沟槽沿着各自长度的延伸方向相互贯通。基于刻蚀工艺菜单对上述半导体结构进行干法刻蚀，以评估该刻蚀工艺菜单的聚合物生成量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 评估 刻蚀 工艺 菜单 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310590379.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
