[发明专利]一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310602371.6 申请日: 2023-05-26
公开(公告)号: CN116655377A 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 沈培锋;王妍;陈挺;钱森;陈川;李勇;张泽;汤德宝;何天雨;鞠玲;姚建光;翁蓓蓓;程阳;陆子渊;李双伟;贾骏;吴艳;袁乐 申请(专利权)人: 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司;国网智能电网研究院有限公司
主分类号: C04B35/493 分类号: C04B35/493;C04B35/622;C04B41/88
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 沈威
地址: 225300*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料,以下列化学通式表示:Pb1‑yGay(Zr1‑zTiz)mTa1‑mO3+xwt%Sm,其中x=0.05~1.05,xwt%表示Sm占压电陶瓷材料总质量的百分比含量;y=0.015~0.025,z=0.45~0.50,m=0.95~0.98。采用固相反应法制备Sm离子掺杂的PZT基压电陶瓷粉体,再结合压片、脱脂排胶、烧结、被银、极化等工艺制备具有高居里温度、高压电常数、高介电常数的压电陶瓷材料。结果表明,本发明压电陶瓷材料的居里温度Tc大于380℃,同时介电常数大于900,压电常数d33大于300pC/N。
搜索关键词: 一种 sm 离子 掺杂 pzt 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
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