[发明专利]一种带有单极电子通道的SIC MOSFET及制备方法在审
| 申请号： | 202310603787.X | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116779681A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 乔凯 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 吴英 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种带有单极电子通道的SIC MOSFET及制备方法，该SIC MOSFET包括：N‑layer区；N‑Drift层蚀刻有沟槽；沟槽侧壁掺杂有N‑layer区；N‑Drift层掺杂有P‑well区，所述第一P‑well区的位于所述N‑layer区侧方，P‑well区的与所述N‑layer区相连。本发明能够降低电路设计的复杂性，通过设计一个简易的单极电子通道实现了反向续流，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 单极 电子 通道 sic mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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