[发明专利]电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310626562.6 | 申请日： | 2023-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN116528658A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王少伟;王春阳;吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种电容器及其制备方法。所述电容器包括：衬底；沟槽电容，至少位于所述衬底内部，所述沟槽电容包括依次层叠的第一下电极、第一介电层、第一上电极；至少一平板电容，位于所述衬底表面，所述平板电容包括依次层叠的第二下电极、第二介电层、第二上电极，所述第一下电极与所述第二下电极同层且电连接；第一隔离结构，设置在所述沟槽电容与所述平板电容之间，并绝缘隔离所述第一上电极与所述第二上电极。上述技术方案，通过在衬底上设置沟槽电容及平板电容，并通过第一隔离结构将所述沟槽电容及平板电容绝缘，在不增加工艺步骤的前提下，仅通过改进刻蚀图案，增加电容的数量，形成并联电容，增大电容器的总电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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