[发明专利]一种新型围栅VFET理想开关结构在审
| 申请号： | 202310636823.2 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116646389A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;徐丰和;李平;袁丕根;刘金铭 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术和集成电路技术，尤其涉及一种新型围栅VFET理想开关结构及其工艺实现方式。本发明提出的新型围栅VFET理想开关采用纵向设计，器件四面环栅，且沟道区相对漏漂移区重掺杂的技术方案。本发明所要解决的关键技术问题是：在新结构中引入一种新的机制抑制DIBL效应，减小由短沟道效应引起的阈值电压漂移带来的影响，显著降低导通电阻，增加器件导通电流密度，消除寄生BJT效应。本专利优化了其工艺实现流程，器件沟道长度不再受到光刻精度的限制，沟道长度能够小于12nm，大幅缩小了器件的特征尺寸，降低了单个器件占用面积，提高了集成度，突破了当前摩尔定律的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 vfet 理想 开关 结构 | ||
【主权项】：
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