[发明专利]一种基于交叉长方体磁体空间磁场解析分析以优化纳米磁体构型的方法在审

专利信息
申请号: 202310646284.0 申请日: 2023-06-01
公开(公告)号: CN116741316A 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 孙佳佳;赵若彤;史宗谦;李若菡;陈双;马语欣;刘小凤;钟明杰;孟庆之 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G16C60/00 分类号: G16C60/00;G06F30/25;G06F113/26
代理公司: 北京中创云知识产权代理事务所(普通合伙) 11837 代理人: 肖佳
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明的实施例公开了一种采用交叉长方体磁体空间磁场对纳米磁体构型的方法,包括:建立待构型纳米磁体的三维模型;根据所述待构型纳米磁体的边界参数和材料参数,进行解析计算,得到包括所述待构型纳米磁体内部的磁场分布及磁场梯度的三维模型;在所述三维模型中,根据所述待构型纳米磁体的空间磁场分布及磁场梯度、纳米粒子在磁场中的受力分布特点对所述待构型纳米磁体的磁场分布进行分析,修正所述待构型纳米磁体的结构。本发明能够适用于更加复杂多变的磁体的磁场应用,为更多样的磁场分布、粒子受力分析的研究及磁体结构的优化设计提供方法。
搜索关键词: 一种 基于 交叉 长方体 磁体 空间 磁场 解析 分析 优化 纳米 构型 方法
【主权项】:
暂无信息
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