[发明专利]一种快速开关的Trench MOS器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310649628.3 | 申请日： | 2023-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN116544116A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 刘道国 | 申请（专利权）人： | 深圳市尚鼎芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624 | 代理人： | 郭智 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽街道西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明实施例提供一种快速开关的TrenchMOS器件的制备方法，包括制备P‑body层；制备P‑body层过程中包括两次离子注入工序，其中第二次离子注入工序的注入能量大于第一次离子注入工序的注入能量，第二次离子注入工序的注入剂量大于第一次离子注入工序的注入剂量。本技术方案中，采用独特的两次注入式P‑body制备方法，使得沟道浓度最大值N |
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| 搜索关键词： | 一种 快速 开关 trench mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
