[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310649974.1 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116613080A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈珍;谢冬;姜玉丽 | 申请（专利权）人： | 湖北江城实验室科技服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/492 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;吴素花 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括：具有多个第一键合触点的第一键合层；合围多个第一键合触点的第一密封环；第一密封环贯穿至少部分第一键合层；第二半导体结构，包括：具有多个第二键合触点的第二键合层，具有多个第三键合触点的第三键合层；合围多个第二键合触点的第二密封环，第二密封环贯穿至少部分第二键合层；合围多个第三键合触点的第三密封环，第三密封环贯穿至少部分第三键合层；第三半导体结构，包括：具有多个第四键合触点的第四键合层；合围多个第四键合触点的第四密封环，第四密封环贯穿至少部分第四键合层；第一键合层与第二键合层键合；第三键合层与第四键合层键合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
