[发明专利]缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品在审
| 申请号： | 202310651057.7 | 申请日： | 2023-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN116936389A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 韩娜;李梦亚 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 曾岩 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了缺陷诊断方法、电子设备、存储介质及程序产品，用于对外延片的缺陷进行诊断，所述方法包括：在所述外延片的制备过程中，分别在每个制备工序完成后对所述外延片进行第一检测，得到每个制备工序的第一检测数据；当制备完成的所述外延片不满足预设的合格条件时，根据每个制备工序的第一检测数据，得到每个制备工序的第一诊断结果，所述第一诊断结果用于指示是否存在第一缺陷；当至少一个制备工序的第一诊断结果指示存在第一缺陷时，向终端设备发送第一缺陷信息，所述第一缺陷信息至少包括存在第一缺陷的制备工序的标识。本申请可以迅速定位存在缺陷的制备工序，为后续的缺陷修复和工艺改进提供有价值的参考。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 诊断 方法 电子设备 存储 介质 程序 产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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