[发明专利]一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法在审
| 申请号： | 202310662101.4 | 申请日： | 2023-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN116895537A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 童辉;吴承侃;阳强俊;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法，对圆角矩形状铜箔的边缘进行刻蚀；首先，在覆铜陶瓷基板的铜箔上方覆盖干膜，干膜上开设有两圈内外设置的孔洞组；两圈孔洞组分别为位于内侧的内孔组以及位于外侧的外孔组；内孔组以及外孔组均包括以邻近的铜箔圆角的圆心为中心周向等间隔角度排布的边缘方孔；内孔组以及外孔组均包括对接边缘方孔且呈直线状排列的对接方孔；其次，在干膜上方喷射腐蚀液，进行刻蚀。本发明通过优化了台阶的形成方法，将DCB基板上铜箔圆角蚀刻成台阶圆角，圆角处可靠性可以提高5倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dcb 基板上 铜箔 台阶 加工 成型 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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