[发明专利]高密度SiP封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202310669323.9 | 申请日： | 2023-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN116487342A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈一杲;苏玉燕;汤勇;陈诚;曹志诚;倪萍 | 申请（专利权）人： | 天芯电子科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/24;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高密度SiP封装结构及封装方法。高密度SiP封装结构包括基板、外壳、封装盖板、倒装芯片组、键合互连芯片组及元器件，其中：基板设有第一界面层和第二界面层；第二界面层与第一热沉固定连接；倒装芯片组包括第一焊球阵列层，TSV转接板，第二焊球阵列层，第一芯片，第一导热胶层，第二热沉。通过设置在第一芯片之上的第一导热胶层、第二热沉连接至封装盖板使得倒装芯片组向封装盖板方向散热，通过在基板的第二界面上设置第一热沉，为倒装芯片组、键合互连芯片组和元器件提供散热，双向散热通道可以有效降低高密度SiP封装结构热量。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 sip 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天芯电子科技（南京）有限公司，未经天芯电子科技（南京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310669323.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
