[发明专利]一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法在审
| 申请号： | 202310675595.X | 申请日： | 2023-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN116555900A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 忻隽;贺贤汉;孔海宽;陈建军;涂小牛 | 申请（专利权）人： | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法，包括料盒、生长室、分散装置、输送组件等装置，上下两个生长室均与下方的料盒相连通，料盒内的粉体开始分解升华，输送至生长室内完成凝华结晶，在两个单独的生长室内能够连续完成两个碳化硅晶体的制备，可以在单一生长周期内同时制备个碳化硅单晶体，有效提高生产效率，降低了生产制造成本。该发明能够在上下两个生长室内同时生长出碳化硅晶体，并且保证了远离料盒一侧碳化硅晶体生长得均匀一致，保证了碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 结构 碳化硅 晶体生长 坩埚 生长 方法 | ||
【主权项】：
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