[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310683090.8 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116825809A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张正伟;沙哈吉·B·摩尔;谭伦光;周其雨;白岳青 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍基底、设置在鳍基底的第一部分上的纳米结构沟道区的堆叠件、围绕纳米结构沟道区的栅极结构、设置在鳍基底的第二部分上的源极/漏极(S/D)区、设置在S/D区和鳍基底之间的空气间隔件、以及介电层，介电层设置在空气间隔件和鳍基底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310683090.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
