[发明专利]一种氧化镓晶体管和制备方法在审
| 申请号： | 202310689858.2 | 申请日： | 2023-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN116722042A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周选择;徐光伟;赵晓龙;侯小虎;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/66;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 田金霞 |
| 地址： | 230000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种氧化镓晶体管和制备方法，涉及半导体技术领域，包括以下结构：氧化镓衬底层；氧化镓外延层，位于氧化镓衬底层上表面；电流阻挡层，位于氧化镓外延层上表面；n++层，位于电流阻挡层上表面；栅槽，栅槽深度超过电流阻挡层的深度；源极，位于n++层上表面；栅介质层，位于栅槽和源极上表面；栅极，位于栅介质层上表面；漏极，位于氧化镓衬底层下表面；其中，从靠近n++层位置到靠近氧化镓外延层位置所述电流阻挡层的N离子浓度逐渐降低。该结构能在不影响器件开态特性的情况下，减少关态穿通电流的问题的氧化镓晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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