[发明专利]提高SRAM读取稳定性的存储单元电路在审
| 申请号： | 202310696710.1 | 申请日： | 2023-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN116863981A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈蓓;范茂成 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种提高SRAM读取稳定性的存储单元电路，包括4个PMOS晶体管M1、M2、M5、M6和6个NMOS晶体管M3、M4、M7、M8、M9、M10，其中，M1、M2作为选通管。通过本申请，可以避免读字线和写字线同时打开时可能引发的读取错误的问题，提高数据读取的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 sram 读取 稳定性 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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