[发明专利]考虑DIBL的GaAs pHEMT电流模型计算方法在审
| 申请号： | 202310703447.4 | 申请日： | 2023-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN116822170A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黄磊;朱世泉;毛书漫;武庆智;徐跃杭 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/10;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京博尔赫知识产权代理事务所(普通合伙) 16045 | 代理人： | 孙盟盟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了考虑DIBL的GaAspHEMT电流模型计算方法，应用于微波半导体器件建模技术领域，包括：根据每个栅源电压下的饱和电流进行最小二乘法拟合，得到饱和电流的数值表达式，并代入非线性电流表达式中，根据每个偏置点下的漏源电流，获取每个偏置点对应的临界电场；根据GaAs pHEMT的等效热阻，获取不同偏置下的沟道温度，并结合临界电场进行最小二乘法拟合，得到临界电场的数值表达式；将饱和电流以及临界电场代入非线性电流表达式中，并以考虑DIBL的等效栅压替换栅源电压，得到考虑DIBL的GaAspHEMT电流模型。本发明弥补了现有GaAspHEMT电流模型二阶效应考虑不全导致的精度不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 考虑 dibl gaas phemt 电流 模型 计算方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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