[发明专利]一种基于GaN基外延的红光LED制造方法在审
| 申请号： | 202310709748.8 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN116845147A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张帆 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/32;H01L33/44 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 董晗 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN基外延的红光LED制造方法，在芯片的氧化铝衬底上生长氮化镓外延片，衬底具备绝缘性；发光部分为GaN，其工作电压与蓝绿光的工作电压一致，便于红光LED与蓝绿光LED组合使用时进行电路设计；按照预设角度对外延缓冲层和外延片进行刻蚀，得到氮化镓聚焦层，在衬底侧壁制备黑化层，能够减少侧面漏光比例，并且通过氮化镓聚焦层能够使蓝光聚焦，从而减少蓝光发射到侧壁黑化层的比例，提高出光效率；将红光转换物质涂覆在黑化层外以及衬底远离外延片的一端，能够将蓝光转换为红光，从而得到红光LED芯片，提高了红光LED的整体性能，且便于红光LED与蓝绿光LED组合使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan 外延 红光 led 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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