[发明专利]一种背照式面阵探测器及其制备方法在审
申请号: | 202310718633.5 | 申请日: | 2023-06-16 |
公开(公告)号: | CN116936589A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 杨凯;白永林;曹伟伟;王博 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 倪金荣 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种背照式面阵探测器及其制备方法,以解决探测器无法实现器件整体的单片集成问题。具体包括背照式SiPM阵列和信号读出单元;信号读出单元包括设置在SiPM阵列正面的第一绝缘介质层及平行设置在第一绝缘介质层上的K层第一电极阵列和M层第二电极阵列;K层第一电极阵列和M层第二电极阵列相互间隔设置;第一绝缘介质层与第一电极阵列相邻;K≥1且为正整数,M=K,或者,M=K‑1且M≠0;第一电极阵列与第二电极阵列之间设有第二绝缘介质层;第一电极阵列为((N×N)-1)/2个正方形电极构成的N行×N列矩阵,N1且为奇数;第二电极阵列为((N×N)-1/2)+1个等边菱形电极构成的N行×N列矩阵;第二电极阵列中的顶角电极为信号读出电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 背照式面阵 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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