[发明专利]溅射装置及使用其形成半导体结构的方法有效
申请号: | 202310720707.9 | 申请日: | 2023-06-19 |
公开(公告)号: | CN116463595B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 王晋;黄峰;高晋文;郭佳惠 | 申请(专利权)人: | 润芯感知科技(南昌)有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/50;H01J37/34;H01L21/3205 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 蒋莎莎;焦玉恒 |
地址: | 330000 江西省南昌市高新技术*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法,所述溅射装置包括至少一个溅射腔室,且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板,且可绕沿第一方向的旋转轴旋转,第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面,其中承载台包括被配置为安装基板的基板安装区;靶材结构在第一方向上与承载台相对设置,且包括靶材溅射区,靶材溅射区是被配置为在溅射工艺中向位于承载台上的基板提供靶材粒子的区域,其中靶材溅射区与基板安装区在第一方向上交叠,且在平行于承载台的主表面的第二方向上延伸超出基板安装区的边缘。本公开实施例的溅射装置可提高溅射工艺在深孔侧壁镀膜的能力。 | ||
搜索关键词: | 溅射 装置 使用 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】:
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