[发明专利]一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310722366.9 | 申请日： | 2023-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN116741816A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 徐吉;傅玥;孔令涛 | 申请（专利权）人： | 南京芯干线科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 马小慧 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江宁区菲尼*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法，包括：包括：N掺杂衬底；所述N掺杂衬底上方设有N掺杂漂移区；N掺杂衬底下方设有漏极金属；所述N掺杂漂移区上方设有N‑外延层；所述N‑外延层上方设有电流分散层；所述电流分散层左上方和右上方设有P+掺杂区；两侧所述P+掺杂区的内侧自上而下设有N+掺杂区和P‑掺杂区；所述电流分散层上方设有第一氧化层，所述第一氧化层为阶梯式结构，包括第一氧化层第一区和第一氧化层第二区。本发明采用具有阶梯结构的L型第一氧化层，提高了器件在反向工作时的栅氧可靠性，提高器件的击穿电压，集成的二极管在器件工作在第三象限时，会拥有更加快速的恢复时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 集成 结构 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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