[发明专利]一种近红外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310722780.X | 申请日： | 2023-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN116709798A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 郭坤平;唐喆;仇瑞瑞;任龙宇;王晓;张麦丽;张方晖 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H10K50/11 | 分类号： | H10K50/11;H10K85/10;H10K85/20;H10K71/12;H10K71/00;H10K50/84 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种近红外发光二极管及其制备方法，其中近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴传输层、三元近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴传输层采用有机半导体材料；三元近红外发光层采用F8BT：PIDT‑2TPD：BTT |
||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310722780.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
