[发明专利]一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件

摘要

一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；通过在IGBT器件的发射极和栅极内部集成LED元胞，使栅极集成的LED元胞在正向导通时发光，发射极集成的LED元胞在器件反向导通时发光，使IGBT器件内部在导通时产生大量光生载流子，大幅提高逆导型IGBT器件的正反向导通电流密度并消除逆导型IGBT器件正向导通时的折回现象，增强逆导型IGBT器件的续流能力。