[发明专利]一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料、制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料、制备方法及应用，涉及热电材料技术领域。解决了现有半霍伊斯勒热电材料本征晶格热导率较高以及常规熔融法制备工艺受组分元素熔点差异局限的问题。该材料是由非化学计量比的Zr、Ni、Bi元素组成且晶体结构中具有本征空位缺陷的半霍伊斯勒热电材料，其化学式为Zr0.88NiBi。还提供一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料的制备方法，按预设比例取Zr、Ni、Bi单质，使用高能球磨法对原料进行球磨，获得无块状凝结的混合粉末；采用热压烧结工艺对混合粉末进行固化得热压烧结样品；对热压烧结样品进行高温退火，降温冷却至室温得到成品。本发明的半霍伊斯勒材料晶格热导率低，性能优异。