[发明专利]一种提高Si基Ge薄膜热稳定性的键合方法在审
| 申请号： | 202310741286.8 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116779482A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈松岩;纪若昀;姚荔强;焦金龙;李成;黄巍 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L23/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 张素斌 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种提高Si基Ge薄膜热稳定性的键合方法，首先采用超高真空CVD在Si衬底上低温外延单晶Ge缓冲层，其次通过原位高温退火释放Ge、Si之间的失配应力，之后与H |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 si ge 薄膜 热稳定性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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