[发明专利]电子束参数的确定方法及装置在审
申请号: | 202310745806.2 | 申请日: | 2023-06-21 |
公开(公告)号: | CN116931362A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 曹晨乐;陈晨;韩春营 | 申请(专利权)人: | 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/78;G03F7/20;G06F30/398;G06F111/10 |
代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 张婷婷;杨彦鸿 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请提供一种电子束参数的确定方法及装置,涉及半导体技术领域,该方法包括:在版图数据对应的实际掩膜版图中进行测量,以得到量测数据,量测数据包括测量点的量测尺寸;基于点扩散函数形式,构建电子束模型;基于电子束模型,对版图数据进行仿真处理,以确定测量点对应的仿真尺寸;基于所述量测尺寸、所述仿真尺寸及代价函数,确定代价值;判断所述代价值是否满足预设条件;在所述代价值不满足预设条件的情况下,基于所述代价值,调整所述电子束模型当前的参数值,并返回执行所述基于所述电子束模型,对所述版图数据进行仿真处理,以确定所述测量点对应的仿真尺寸的步骤,直至得到电子束模型的目标参数值,从而提高了电子束模型的精度。 | ||
搜索关键词: | 电子束 参数 确定 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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