[发明专利]一种低损耗快速切换PIN电光相移结构有效
| 申请号： | 202310748884.8 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116500722B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 唐伟杰;武雅婷;储涛 | 申请（专利权）人： | 之江实验室;浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/12;G02F1/015;G02F1/035 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 311121 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 快速 切换 pin 电光 相移 结构 | ||
【主权项】：
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