[发明专利]碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件在审
| 申请号： | 202310749399.2 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116752230A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 尹志鹏 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/12;C30B23/06;C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王振珍 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件，所述碳化硅外延用上半月加热座包括上座体，上座体底部开设有凹槽，凹槽呈圆形，凹槽的半径比衬底的半径大预设尺寸。所述碳化硅外延用石墨件包括下半月加热座和上述的上半月加热座，下半月加热座上侧开设有托盘槽，托盘槽呈圆形，内部适于放置衬底；上半月加热座盖设在下半月加热座上侧，凹槽与托盘槽对齐。本发明提供的碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件能够通过开设在上半月加热座上的凹槽，改变衬底上方的温度场，进而抑制3C‑SiC在衬底所在区域上方的上座体上的沉积，从根本上抑制掉落物的产生，最终降低碳化硅表面缺陷数量，提升碳化硅外延片以及器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 用上 半月 加热 石墨 | ||
【主权项】：
暂无信息
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