[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310753578.3 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116546815A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李泽伦 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;徐川 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，本公开提供一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括位于衬底上的第一有源层、第二有源层、沟道层以及柱状的栅极结构；沟道层至少覆盖栅极结构的侧壁；第一有源层和第二有源层均覆盖沟道层的部分侧壁，第一有源层和第二有源层分别位于沟道层沿衬底厚度方向相对的两侧；第一有源层和第二有源层的材料为具有第一电阻率的第一材料，沟道层的材料为具有第二电阻率的第一材料，第一电阻率小于第二电阻率。第一有源层和第二有源层位于相对的两侧可以解决半导体结构占用面积大的问题。同时，沟道层的材料与第一有源层和第二有源层的材料为具有不同电阻率的第一材料，可以解决沟道电流小的问题，改善半导体存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310753578.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种动力电池均衡控制方法、装置及车辆
- 下一篇：储能装置
