[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202310753897.4 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN116825925A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王晶;郭桓邵;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种发光二极管及其制作方法，包括：发光外延层，自下而上依次包括第一半导体层（110）、发光层（120）和第二半导体层（130）；透明介质层（200），至少形成在第二半导体层（130）上，透明介质层（200）具有平台（210）和一系列开口（220）；透明介质层（200）的开口（220）内具有欧姆接触层（310），欧姆接触层（310）与第二半导体层（130）之间具有过渡层（320），过渡层（320）的热迁移率低于欧姆接触层（310），解决了欧姆接触区域材料选择的难题，有效控制了开口面积，减小欧姆接触区域的吸光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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