[发明专利]化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备在审
申请号: | 202310761233.2 | 申请日: | 2023-06-26 |
公开(公告)号: | CN116770275A | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 厉冰峰 | 申请(专利权)人: | 盛吉盛半导体技术(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/44 |
代理公司: | 北京市竞天公诚律师事务所 11770 | 代理人: | 王康名;徐民 |
地址: | 201304 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备,该化学气相沉积设备的抽气控制方法包括:当化学气相沉积工艺进入抽气阶段时,控制化学气相沉积设备的节流阀开启预设开度;控制抽气泵抽取化学气相沉积设备的反应腔室内的气体;每达到预设条件时,控制增大节流阀的开度,直至节流阀完全开启。本发明解决了气相沉积工艺在抽气阶段易在晶圆表面附着颗粒物,导致晶圆缺陷,降低晶圆良率的问题。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 控制 方法 装置 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的