[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310763321.6 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116801619A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李泽伦 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括有源柱、栅氧化层以及栅极层，其中：有源柱，包括沿有源柱的延伸方向依次分布的源极区、沟道区以及漏极区，沟道区包括邻接分布的第一区域和第二区域，第一区域与源极区和/或漏极区邻接分布，第一区域和源极区或漏极区的掺杂类型不同；栅氧化层，覆盖源极区、沟道区以及漏极区的表面；栅极层，覆盖栅氧化层的表面，且其在有源柱上的正投影与沟道区重合。本公开的半导体结构可减小源极区与漏极区之间击穿的概率，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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