[发明专利]钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 202310764096.8 | 申请日： | 2023-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN116936675A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;刘尊珂;曾俞衡;廖明墩;周鸿凯;杜浩江;张贤;刘伟;杨阵海 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) 11876 | 代理人： | 李明卓 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池，其中，所述钝化接触结构的制造方法包括：在衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成掺杂多晶硅层；在预定区域的所述掺杂多晶硅层表面形成掩模层，所述掩模层包括氧化硅层；去除所述预定区域之外的所述掺杂多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 接触 结构 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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