[发明专利]调节式GaN器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310769754.2 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116544276A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;莫炯炯;开翠红;吕贝贝;张立星 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调节式GaN器件及其制备方法，在确定了所述外延结构及制备工艺方案后，结合所述掩膜版可图形化所述P‑GaN层获得多个间隔设置的所述P‑GaN岛及位于所述P‑GaN岛之间的所述间隔通道，以提供双阈值GaN器件，从而通过对所述掩膜版的版图设计即可实现具有不同阈值电压、导通特性的GaN器件的制备，以便捷的满足芯片设计需求，免除重新定义外延结构、工艺等的成本与时间。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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