[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置在审
| 申请号： | 202310773170.2 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116791188A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;高颖;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B29/16 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；使用装置时，首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 感应 区熔法 生长 氧化 晶体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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