[发明专利]非易失存储单元及其制备、控制方法、非易失存储系统在审
| 申请号： | 202310774492.9 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116847723A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 童浩;温晋宇;王伦;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;G11C16/30;H10N70/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 夏倩 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非易失存储单元及其制备、控制方法、非易失存储系统，属于存储技术领域，包括：由下至上依次层叠的第一金属电极层、第一电介质层、阈值开关层和第二金属电极层；其中，第一电介质层为上表面经过表面预处理后的电介质层，通过对第一电介质的上表面进行表面预处理，使得与电介质表面接触的阈值开关层表面具有更多的界面态，从而使得阈值开关层因上、下表面的较大界面态差异而在初始沉积状态即引入极性界面影响，进而使得阈值开关层在正负向电操作时的阈值态差异更显著；本发明大大提高了阈值增量，更适合用于大规模OTS‑only存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 单元 及其 制备 控制 方法 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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