[发明专利]N型硅片吸杂方法、N型吸杂硅片、太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202310775940.7 | 申请日： | 2023-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN116741879A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 高永强;余义;王金 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孟嘉欣 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N型硅片吸杂方法、N型吸杂硅片、太阳电池及其制备方法。该N型硅片吸杂方法包括如下步骤：将N型的含杂硅片置于吸杂腔室中；在含杂硅片的表面制备氧化层；控制吸杂腔室中的温度为750℃～900℃，向吸杂腔室中通入含氯磷源，含氯磷源随载气通入吸杂腔室，载气的流量为800mL/min～1500mL/min，含氯磷源中含有磷元素和氯元素；停止向吸杂腔室通气并将含杂硅片静置于吸杂腔室中，控制静置时间为90s以上；以及，去除氧化层。该硅片吸杂方法能够较为有效地去除含杂硅片中的杂质，提高硅片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 方法 型吸杂 太阳电池 及其 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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