[发明专利]半导体发光元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310776598.2 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116705934A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 丘金金;李森林;高默然;董雪振;廖寅生 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 361026 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包括由下至上依次堆叠的衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，所述n型半导体层包括由下至上依次堆叠的第一限制层、第一缓冲层、电极接触层、第二缓冲层与第二限制层，其中，所述第一限制层与所述第二限制层均包括多层高掺杂层与多层低掺杂层，所述高掺杂层的掺杂浓度大于所述低掺杂层的掺杂浓度，所述高掺杂层与所述低掺杂层交替层叠设置。所述第一限制层与所述第二限制层均包括依次层叠设置的高掺杂层与低掺杂层，从而形成多个电容结构，使电流在n型半导体层中进行多次横向扩展，改善电流的横向扩展能力，避免电流拥挤，提高半导体发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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