[发明专利]发光二极管在审

专利信息
申请号: 202310776650.4 申请日: 2023-06-28
公开(公告)号: CN116705941A 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 朱秀山;包志豪;李燕;荆琪;李俊贤;蔡吉明;凃如钦;张中英 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/46
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 许骅
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请提供了发光二极管,该发光二极管包括外延结构、第一绝缘层、第一连接电极和第二连接电极,外延结构又包括第一半导体层、有源层、第二半导体层,第一连接电极通过贯穿第一绝缘层与第一半导体层电连接。其中,第一绝缘层内还设有金属缓冲层,金属缓冲层至少位于第一连接电极与第二半导体层之间。本申请通过利用设置在第一绝缘层内的金属缓冲层,有效阻断了第一绝缘层内裂纹或孔洞等缺陷在竖直方向的扩展,使第一连接电极与第二半导体层之间的保持电绝缘,避免了现有技术中第一绝缘层破损直接导致的第一连接电极与第二半导体层出现电连接的情况发生,降低发光二极管局部短路现象的发生率。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
暂无信息
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