[发明专利]一种具有均匀碳化硅晶须的炭材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310776705.1 | 申请日： | 2023-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN116695257A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;刘博;李轩科;李保六;郭建光 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/36;C30B1/02 |
| 代理公司： | 武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙) 42235 | 代理人： | 李恭渝 |
| 地址： | 430000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有均匀碳化硅晶须的炭材料及其制备方法，是一种工艺简单、无需催化剂参与和低成本的碳纤维预制体内部均匀生长碳化硅纳米晶须制备方法，通过在纤维预制体或多孔材料预制体内部和表面形成成核位点，并采用固相硅源和碳源，无催化剂参与，在1200‑1500℃时制得碳纤维表面碳化硅晶须，工艺简单，对设备无特殊要求，且制备过程中无有毒有害气体释放。本发明不以生长基体为碳源，能够很好保护碳毡基体，可在碳毡内部制得大长径比的碳化硅晶须，碳化硅晶须直径为30‑120nm，长度为30‑150um，并具有优异的弯曲性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 均匀 碳化硅 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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