[发明专利]纵向BCD器件及制备方法在审
| 申请号： | 202310777048.2 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116705856A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李小红;余远强;杨世红;徐永年;苗东铭 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8249;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 刘聪超 |
| 地址： | 710199 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种纵向BCD器件及制备方法，纵向BCD器件包括：N型衬底、第一N型外延层、第二N型外延层、P型埋层、BCD结构和Trench VDMOS结构；第一N型外延层外延生长于N型衬底的表面，第二N型外延层外延生长于第一N型外延层的表面；BCD结构设置于第二N型外延层和P型埋层上，Trench VDMOS结构是形成于第二N型外延层上的；BCD结构设置有VBB引出端和GND引出端，Trench VDMOS结构设置有源极引出端，N型衬底下端面设置有漏极引出端，通过将Trench VDMOS结构与BCD结构集成于一体，有效地提升了BCD工艺与VDMOS的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 bcd 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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