[发明专利]一种新型TOPCon电池的制备方法在审
| 申请号： | 202310788646.X | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116936651A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 范洵;付少剑;张明明;何帅 | 申请（专利权）人： | 滁州捷泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 合肥汇融专利代理有限公司 34141 | 代理人： | 王秀芳 |
| 地址： | 239236 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种新型TOPCon电池的制备方法，涉及电池制备加工技术领域。所述TOPCon电池的制备方法主要包括对硅片制绒，硼扩散，去除背面及侧面BSG层，LPCVD背面沉积及多晶硅层非栅线区去除或减薄，磷掺杂，PSG层去除，正面沉积，正背面栅线区域印蜡，蜡印以外区域去除BSG、PSG、BPSG，去蜡，镀氧化铝及氮化硅，丝网印刷等步骤。本发明克服了现有技术的不足，通过将背面非栅线区PolySi的去除或减薄，改善了目前TOPCon电池的弊端、进一步提升了光电转换效率和降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 topcon 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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