[发明专利]一种TBO SG双沟槽型SIC MOSFET元胞结构、器件及制造方法在审
| 申请号： | 202310792623.6 | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116666455A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 李鎔碩;马利奇;金秉燮;李旻姝;牛连瑞;洪吉文 | 申请（专利权）人： | 浙江萃锦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 孙艳敏 |
| 地址： | 浙江省宁波市慈溪高新技*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开一种TBOSG双沟槽型SICMOSFET元胞结构、器件及制造方法，包括SiC衬底以及设置在所述SiC衬底上的SiC外延层，所述SiC外延层上具有栅极沟槽，所述栅极沟槽底部设置有厚底氧化物层，所述厚底氧化物层上设置有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上设置有栅氧化膜，所述栅氧化膜上设置有第二多晶硅层。将多晶硅层极分为Body‑poly和Gate‑poly两部分，提高器件的开关速度和可靠性。厚底氧化物层(TBO)代替栅沟槽内屏蔽结构，可以减少一次外延层的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tbo sg 沟槽 sic mosfet 结构 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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