[发明专利]一种电子器件及其表面加工方法在审
申请号: | 202310795064.4 | 申请日: | 2023-06-30 |
公开(公告)号: | CN116936499A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 王广平;洪芳军;陈杰;赵舒然 | 申请(专利权)人: | 华为数字能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 毛威;肖鹂 |
地址: | 518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请提供了一种电子器件及其表面加工方法,该电子器件包括散热基底以及与散热基底连接的发热芯片,该方法包括:在散热基底的远离发热芯片的一侧设置第一掩膜体,第一掩膜体具有第一通孔;采用冷喷涂工艺,向第一掩膜体的表面喷涂金属粉末,使金属粉末沉积在第一掩膜体的表面以及第一掩膜体的第一通孔区域;去除第一掩膜体,使得电子器件的表面形成孔隙结构。本申请通过冷喷涂低温制程的优势,对电子器件的表面进行加工处理,增加其表面的孔隙率大小,能够提高电子器件的沸腾换热性能,从而加快电子器件的散热。此外,本申请采用低温制程,能够避免高温制程对电子器件的内部芯片产生的影响,制作稳定性较好,能够进行大规模制作使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子器件 及其 表面 加工 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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