[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310797613.1 | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116936534A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李旭峯;曾于平;黄立贤;庄曜群;卢胤龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/498;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括在第一器件管芯的第一衬底上沉积第一介电层，蚀刻第一介电层以形成沟槽，在沟槽中和第一介电层的顶表面上沉积金属材料，以及执行化学机械抛光(CMP)工艺，以从第一介电层的顶表面去除金属材料的部分来形成第一金属焊盘。在CMP工艺的执行之后，该方法选择性地蚀刻第一金属焊盘，以在第一金属焊盘的边缘部分处形成凹槽，在第二器件管芯的第二衬底上沉积第二介电层，在第二介电层中形成第二金属焊盘，以及将第二器件管芯接合至第一器件管芯。第二介电层接合至第一介电层，并且第二金属焊盘接合至第一金属焊盘。本发明的实施例还提供了半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310797613.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
