[发明专利]一种功率器件结构在审
| 申请号： | 202310809345.0 | 申请日： | 2023-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN116779645A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘子泽;张杰 | 申请（专利权）人： | 上海陆芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孔凡红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件结构。该功率器件结构包括：衬底；设置于衬底一侧的条形沟槽元胞；设置于条形沟槽元胞远离衬底一侧的发射极金属层；发射极金属层包括发射极引线区和非发射极引线区；非发射极引线区环绕发射极引线区设置；发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量，小于非发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量。本发明实施例的技术方案可有效减小发射极引线区的电流集中效应，从而有利于防止发射极引线区因发热量过大而烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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