[发明专利]形成非易失性存储结构的方法在审
| 申请号： | 202310810901.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN116782666A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吕志超;盖理·贝拉·布朗纳 | 申请（专利权）人： | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种形成非易失性存储结构的方法。所述方法包括：设置转换层的底部区域；在所述转换层的所述底部区域上方设置所述转换层的一个或多个横向区域，所述转换层的所述一个或多个横向区域包括掺杂材料；在所述一个或多个横向区域上方设置所述转换层的顶部区域；以及在所述转换层的所述顶部区域和所述转换层的所述底部区域之间的所述转换层中形成细丝结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 非易失性 存储 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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