[发明专利]一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件在审
| 申请号： | 202310813682.7 | 申请日： | 2023-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN116854477A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李靖晗;张慧;王力;李华民;包根平 | 申请（专利权）人： | 北京亦盛精密半导体有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 智业 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件。该碳化硅陶瓷包括依次叠加的高纯度碳化硅绝缘薄层和含碳高导电薄层；所述碳化硅陶瓷的顶层和底层均为所述高纯度碳化硅绝缘薄层；所述高纯度碳化硅绝缘薄层中，碳硅摩尔比为0.8‑2，厚度为0.1‑10mm；所述含碳高导电薄层中，碳硅摩尔比为2‑15，厚度为0.05‑3mm。利用本申请的制备方法能够制得高纯度、高致密度、各向异性电阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的电阻率各向异性指数高达101.993。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 各向异性 电阻率 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 薄片 制件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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