[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310820380.2 | 申请日： | 2023-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN116615089A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;陈劲中 | 申请（专利权）人： | 苏州凌存科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/20;H10N50/01;H10N50/80 |
| 代理公司： | 北京中秩新创知识产权代理有限公司 16124 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种半导体器件及其制备方法，包括：磁性材料层，所述磁性材料层包括磁性隧道结或磁性自旋阀；第一电极，所述第一电极直接或间接设置于所述磁性材料层的第一表面；第二电极，所述第二电极直接或间接设置于与所述磁性材料层的第一表面相对的第二表面；第一应力层，所述第一应力层包覆至少由所述磁性材料层、所述第一电极、所述第二电极构成的整体结构的侧壁；所述第一应力层为绝缘应力层。本发明解决了半导体器件微缩时，难以保持较为稳定的应力的技术问题，提升了半导体器件关键参数的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州凌存科技有限公司，未经苏州凌存科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310820380.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
