[发明专利]离子敏感薄膜晶体管及生物传感芯片在审

专利信息
申请号: 202310821343.3 申请日: 2023-07-06
公开(公告)号: CN116936640A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 唐伟;郭小军 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/423;G01N27/414
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 禹雪平
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种离子敏感薄膜晶体管及生物传感芯片,晶体管由下而上依次包括:衬底;第一栅电极;第一栅绝缘层;半导体层;第二栅绝缘层;源漏极,第二栅电极;第二栅极接触电极;第一栅电极、第一栅绝缘层、源漏电极和半导体层构成底栅晶体管,作为开关器件;源漏电极、半导体层、第二栅绝缘层、第二栅电极和第二栅极接触电极构成顶栅晶体管,作为离子敏感元件,第二栅绝缘层采用刻蚀阻挡层;顶栅晶体管和底栅晶体管构成双栅结构的离子敏感薄膜晶体管。本发明能够提高顶栅/底栅电容耦合比,显著提高离子敏感场效应晶体管对离子响应的灵敏度,实现对低浓度目标核酸序列的快速分析。
搜索关键词: 离子 敏感 薄膜晶体管 生物 传感 芯片
【主权项】:
暂无信息
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