[发明专利]一种N极性肖特基势垒二极管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310823090.3 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116936644A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强;吴昌桐;曹犇;邢志恒;吴能滔 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N极性肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。本发明的N极性肖特基势垒二极管的组成包括依次层叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、AlGaN沟道层、GaN势垒层和钝化层，还包括阳极金属电极、阳极金属场板和阴极金属电极，InGaN背势垒层中的In含量沿着远离衬底的方向逐渐增加。本发明的N极性肖特基势垒二极管具有漏电流较小、导带连续性好、势垒高度低、欧姆接触电阻小、响应速度快、抗击穿性能好、可靠性高等优点，适合进行大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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